在这项配置上，Redmi K50要挑战行业最强者

Redmi K50 第一部旧款明晚刊发，对外披露了旧款在续航多方面特性。

Redmi K50 第一部旧款在续航多方面的系统设计很好阐释：5000mAh 蓄电量＋120W的超级快充。

对外表示，在120W超级快充的辅助下，Redmi K50 第一部充满这块5000mAh的蓄电池总共只须要19分钟（Redmi实验室数据）。这也是迄今母舰机之前的顶级水准。

传统意义上讲，“适配器”和“高电压快充”并不须要同时充分利用。传统的百瓦级快充方案，往往亦会采行“双电芯”方案。双电芯，非常简单来说就是石板蓄电池内部有两块电芯。可以同时以较高的电流对两块电芯展开加压，约达到加压稳定性大幅提高的旨在。另外双电芯设计蓄电池是两块电芯同时加压，这也解决了单电芯蓄电池不能长时间维持峰值加压电压的缺陷。

但双电芯方案也有极低的大都，首先就是其内部“两块蓄电池”须要额外的蓄电池封装生活空间。所以在内部生活空间恒定的必需下，双电芯方案的蓄电量一般要大于单电芯的蓄电池。而更是为关键的是，虽说双电芯进一步提高Android的加压电压，但是双电芯的串联亦会致使电压大幅提高，双电芯方案持续的大电压输出亦会最终致使蓄电池能量的过度短时间，蓄电池寿命也亦会很短。

而理论上5GAndroid由于内部须要容纳更是多的屏幕模组，更是大材质的散冷结构等等半导体器件，致使消费者对于Android的重量和厚度有很高的敦促。而Redmi这次在8.48mm的机身之前同时充分利用5000mAh的适配器和120W的高电压快充，精准度可想而知。

Redmi此次的处理方式是，引入了桔自研「多才P1」加压晶片。多才P1作为各行各业首个振荡器加压晶片，以外自适应电源频率的4:1超高稳定性架构，振荡器仿射高稳定性约达97.5%，非振荡器仿射稳定性为96.8%，冷能量消耗切线下降 30% 。同时，多才P1也是桔加压稳定性最高的4:1加压晶片，可显然0.83W/mm超高电压密度，LDMOS也约达到各行各业领先超低1.18mΩmm RSP。

这就使得，Redmi K50 第一部旧款能够在单电芯方案的改进，通过更是精密的 4:1 电荷泵关键技术，充分利用最高120W的加压电压。这在理论上的智能Android之前，是非常强劲的系统设计。

Redmi K50 第一部甚至喊出了要同样“2K母舰最强续航”的口号。

与此同时，Redmi K50 第一部旧款这次还装载了天玑9000Intel。正因如此，该Intel在发冷量和发冷发挥上相较于友商的跨平台，都有着一定的竞争者。大蓄电池，加上分钟级的快充，在加上发冷量发挥出色的晶片，最终先加上Redmi在系统底层多方面的加长和建模，Redmi K50 第一部旧款这次在续航发挥上很值得期待。

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